NTMD3P03_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P+P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.3A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTMD3P03 型號MOS管，采用先進的PP溝道技術(shù)，封裝于小型化SOP-8外殼，以其優(yōu)良的集成性和空間利用率備受青睞。該器件工作穩(wěn)定，額定電壓VDSS高達30V，可持續(xù)提供5.3A的大電流處理能力，同時具有優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻RD(on)，低至35mR，顯著提升工作效率，降低能耗。此款MOS管廣泛適應(yīng)于電源管理、馬達驅(qū)動等多種應(yīng)用場景，助您實現(xiàn)系統(tǒng)性能升級與節(jié)能目標(biāo)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTMD3P03_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P+P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.3A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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