SI7386DP-T1-E3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/5.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI7386DP-T1-E3 是一款采用先進DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOS管，專為高功率密度和空間受限的應(yīng)用設(shè)計。其關(guān)鍵特性包括30V的最高柵源電壓VDSS，以及高達70A的連續(xù)漏極電流ID，展現(xiàn)出卓越的電流承載能力。更值得關(guān)注的是，該器件具備極為優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻RD(on)，僅為5.7mΩ，能在大電流工作狀態(tài)下顯著減少功率損耗，提升整體系統(tǒng)的能效比。SI7386DP-T1-E3 MOS管廣泛適用于電源管理、馬達驅(qū)動等各種高要求的電子應(yīng)用場合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7386DP-T1-E3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/5.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/5.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢