SIR850DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/5.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SIR850DP-T1-GE3 是一款采用精巧DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOS管，針對現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化及高效能需求設(shè)計(jì)。該器件提供了強(qiáng)大的電性參數(shù)30V的最大漏源電壓VDSS，以及高達(dá)70A的連續(xù)漏極電流ID，保證在高功率條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。其獨(dú)特之處在于導(dǎo)通電阻RD(on)低至5.7mΩ，有效降低功率損耗，提高整體系統(tǒng)效率。SIR850DP-T1-GE3 適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高電流應(yīng)用領(lǐng)域，以出色的性能服務(wù)于各類高端電子設(shè)計(jì)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIR850DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/5.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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