FDMS7682_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/5.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDMS7682 是一款采用緊湊DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOS管，專為現(xiàn)代高效能電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件具有出色的電氣性能，其最大漏源電壓VDSS為30V，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)70A的連續(xù)漏極電流ID，確保在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下保持穩(wěn)定工作狀態(tài)。尤其值得強(qiáng)調(diào)的是其卓越的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為5.7mΩ，極大程度地降低了系統(tǒng)能耗，提升了工作效率。FDMS7682 適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率領(lǐng)域，以其出色的性能表現(xiàn)滿足廣大用戶對(duì)于高效、節(jié)能半導(dǎo)體元器件的需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDMS7682_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/5.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/5.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢