AON6576_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.3mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AON6576 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝設(shè)計(jì)，專為高效率和小型化電子系統(tǒng)打造。該器件能夠在30V的電壓VDSS下穩(wěn)定工作，提供高達(dá)80A的連續(xù)電流，滿足大電流應(yīng)用場(chǎng)景需求。其核心優(yōu)勢(shì)在于僅4.3mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，大幅度降低了功率損耗，提高了系統(tǒng)能效。AON6576 廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、以及其他要求高效節(jié)能的半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國(guó)際大廈2013-2014

AON6576_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.3mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.3mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢