IRFH8324PBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

IRFH8324PBF 型號N溝道MOS管，采用先進(jìn)的DFN5X6-8L封裝形式，結(jié)合了高效散熱與小型化特點(diǎn)。器件額定電壓VDSS為30V，支持高達(dá)120A的連續(xù)電流ID，展現(xiàn)了卓越的功率處理能力。其低至3.5mR的導(dǎo)通電阻，有效提升了能源轉(zhuǎn)換效率，減少了系統(tǒng)損耗。廣泛應(yīng)用在快速充電設(shè)備、大電流開關(guān)電源等領(lǐng)域，出廠前歷經(jīng)嚴(yán)格質(zhì)量測試，確保在各類苛刻環(huán)境中提供穩(wěn)定、高效的性能輸出。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFH8324PBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢