IRFH8311PBF_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFH8311PBF N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，針對(duì)現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化趨勢(shì)設(shè)計(jì)。該器件具有30V的最大漏源電壓，能承載高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流，確保在重載條件下也能穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻僅為2mΩ，實(shí)現(xiàn)了低功耗和高效能轉(zhuǎn)換，特別適用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域的高效能電路設(shè)計(jì)，是提升系統(tǒng)性能的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRFH8311PBF_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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