IRFH5301PBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFH5301PBF 是一款高性能N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品的輕薄化設(shè)計需求。它能在30V的最大漏源電壓(VDSS)下工作，并提供高達150A的連續(xù)漏極電流，展示了其卓越的電力傳輸性能。其特點在于僅2mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等多種高功率應(yīng)用場景，是實現(xiàn)高效電路設(shè)計的理想組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFH5301PBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢