SIR158DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SIR158DP-T1-GE3 是一款N溝道MOS管，采用DFN5X6-8L封裝，專為現(xiàn)代緊湊型電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)。該器件能夠在30V的最大漏源電壓(VDSS)下穩(wěn)定工作，提供高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流(ID)，表現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其亮點(diǎn)是擁有僅2mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在大電流應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效能和低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、快速充電等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高性能電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIR158DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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