SM6442D1RL_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

型號(hào)為SM6442D1RL 的N溝道MOS管，采用先進(jìn)的DFN5X6-8L封裝技術(shù)，尺寸精巧，布局靈活，特別適合高密度集成設(shè)計(jì)。該器件擁有卓越的電氣參數(shù)40V的最大漏源電壓(VDSS)，可承受高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流(ID)，且導(dǎo)通電阻低至6.9mΩ(RD(on))，保證了高效的能源轉(zhuǎn)換和傳輸性能。本產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等對(duì)效率要求較高的電路系統(tǒng)，是您提升整體系統(tǒng)性能的優(yōu)質(zhì)之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話(huà)：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SM6442D1RL_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)