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NVMFS5C466N_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/40.0V 參數3:ID/60.0A 參數4:RDON/6.9mR 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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NVMFS5C466N 是一款高性能N溝道MOSFET,采用DFN5X6-8L封裝,體積小巧,適應各種緊湊型設計需求。該器件擁有40V的漏源電壓(VDSS)和高達60A的連續漏極電流(ID),確保強大的電流處理能力。其導通電阻僅為6.9mΩ(RD(on)),大大提升了系統能效,減少了能源浪費。此款MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域,是實現高功率、低損耗的理想半導體元件選擇。



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