SIR401DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/18.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/3.4mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SIR401DP-T1-GE3 P溝道MOS管采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，具備出色的散熱性能和電路板空間利用率。該器件能在18V電壓下穩定運行，提供高達80A的連續電流，擁有超低3.4mΩ導通電阻，確保了高效能、低損耗的電力傳輸。廣泛應用于高電流電源轉換、電動車充電系統等場合，是高性能、節能設計的理想組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIR401DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/18.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/3.4mR 標價：歡迎咨詢

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