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BSC123N08NS3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/100.0V 參數3:ID/75.0A 參數4:RDON/7.3mR 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

BSC123N08NS3G 是一款N溝道MOSFET,采用緊湊型DFN5X6-8L封裝,專為現代高效能電子設備設計。器件亮點在于最大漏源電壓VDSS高達100V,可承受75A的連續漏極電流,且具備卓越的導通性能,導通電阻僅7.3mR,確保在大電流應用環境下仍維持低功耗與高效能。

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