NTMFS4925N_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.3mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTMFS4925N 是一款N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的DFN5X6-8L封裝，專為高功率密度和低能耗應(yīng)用設(shè)計。本器件能在30V的電壓VDSS下穩(wěn)定工作，提供高達(dá)80A的連續(xù)電流，凸顯出強大的電流處理能力。其亮點在于導(dǎo)通電阻RD(on)僅為4.3mR，確保了卓越的能效表現(xiàn)，有效降低功耗。NTMFS4925N 適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、及其他對功率和效率有較高要求的場景，是現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTMFS4925N_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.3mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.3mR 標(biāo)價：歡迎咨詢