SIR462DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SIR462DP-T1-GE3 N溝道MOSFET采用先進的DFN5X6-8L封裝，集小巧尺寸與高效散熱于一身。該器件性能卓著，具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠處理高達50A的連續電流，其低至6.5mΩ的導通電阻(RD(on))確保了強大的功率轉換能力和節能效果。廣泛應用于電源管理、電機驅動等大電流領域，是提高系統性能與節能方案的理想半導體元件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIR462DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢