BUK7Y07-30B_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

BUK7Y07-30B N溝道MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為高密度電路設(shè)計(jì)。該器件擁有30V的最大工作電壓（VDSS），并能承載高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)了卓越的電流處理性能。特別強(qiáng)調(diào)其出色的導(dǎo)通電阻僅有4.7mΩ（RD(on)），有效減小功耗，提升系統(tǒng)能效。此款MOS管適用于諸如開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、以及其他需要大電流、低阻抗特性的高端電子應(yīng)用場合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BUK7Y07-30B_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢