NVMFS4C310N_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

NVMFS4C310N N溝道MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需求。器件支持30V的最大電壓（VDSS），并能在高負(fù)載下穩(wěn)定輸送80A的漏極電流，表現(xiàn)出超強(qiáng)電流承載能力。其關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于導(dǎo)通電阻僅4.7mΩ（RD(on)），極大地提升了能效，降低了功耗。這款MOS管特別適用于需要處理大電流、追求高能效的開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及其他高端電子應(yīng)用領(lǐng)域。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話(huà)：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NVMFS4C310N_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)