BSR802N_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

BSR802N N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23-3L封裝，專為高功率密度和高效能電路設計。器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，并能在低至18mR的導通電阻(RD(on))下，支持高達6A的連續漏極電流(ID)。這款MOS管適用于開關電源、DC/DC轉換器、電機驅動等場景，憑借其出色的電流處理能力和高效能表現，成為優化系統性能的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSR802N_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢