FDN339AN_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

FDN339AN 是一款N溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-23-3L封裝，專為高效能電子設計。該器件擁有20V的漏源電壓(VDSS)，能在僅18mR的導通電阻(RD(on))下，輕松承載高達6A的漏極電流(ID)。廣泛應用于開關電源轉換、電機驅動、快速開關電路等領域，憑借其卓越的電流承載能力和優異的能效性能，成為您優化系統設計，提升整體效能的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDN339AN_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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