FDN306P_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/34.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDN306P P溝道MOS管采用小型化的SOT-23-3L封裝，專為高效率、低阻抗電路設(shè)計(jì)。器件亮點(diǎn)在于強(qiáng)大的電氣規(guī)格，最大工作電壓VDSS為20V，連續(xù)電流承載能力高達(dá)4.1A，且擁有超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為34mR，實(shí)現(xiàn)了卓越的電能轉(zhuǎn)化效率與快速響應(yīng)速度。廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用環(huán)境，F(xiàn)DN306P 憑借其出色的性能表現(xiàn)與穩(wěn)定質(zhì)量，成為眾多電子設(shè)計(jì)工程師的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

FDN306P_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/34.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/34.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢