IPP200N15N3G_TO-220_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50管參數1：N溝道參數2：VDSS/150.0V 參數3：ID/120.0A 參數4：RDON/9.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPP200N15N3G 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經典的TO-220封裝，適用于高功率電子設備。其關鍵特性包括最大漏源電壓VDSS高達150V，能承載強勁的120A連續漏極電流，而導通電阻RD(on)僅為9.5mR，確保在大電流操作時也能保持極低的功率損耗和高效能表現。此款MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等高電流開關應用領域。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPP200N15N3G_TO-220_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50管 參數1：N溝道 參數2：VDSS/150.0V 參數3：ID/120.0A 參數4：RDON/9.5mR 標價：歡迎咨詢

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