BSC066N06NS-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/80A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封裝，具備卓越的功率密度和散熱性能。工作電壓高達(dá)60V，連續(xù)電流可達(dá)80A，特別適合應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)中，以緊湊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大電力驅(qū)動(dòng)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：138 2358 3904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013

BSC066N06NS-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/80A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/80A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢