GBP610_GBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款GBP封裝整流橋器件，是專為高效率電源轉換應用設計的優質半導體元件。具備高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全穩定工作。其特性包括在2A電流下正向壓降VF低至1.1V，有效降低能耗并提升系統效能。盡管在小電流下表現出色，該器件的最大連續輸出電流可達6A（IO），展現出卓越的電流承載和瞬態響應能力。適用于各類需要處理高電壓、大電流瞬變的應用場景，是您電路設計的理想之選，助力實現高效可靠的電源轉換解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBP610_GBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢