GBP410_GBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 4A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 125A 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款GBP封裝整流橋器件，專為高效穩(wěn)定電源轉(zhuǎn)換打造。其擁有1000V的高反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全運行。在4A工作電流下，正向壓降VF低至1.1V，有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)能效表現(xiàn)。同時，器件支持最大連續(xù)輸出電流4A（IO），提供卓越的電流處理能力及穩(wěn)定性。適用于各類需要處理高電壓、中等電流的應(yīng)用場景，是您電路設(shè)計的理想選擇，助您實現(xiàn)性能與可靠性的完美結(jié)合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBP410_GBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 4A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 125A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 4A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 125A 標價：歡迎咨詢