GBU410_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 4A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

描述: 本款高性能整流橋采用GBU封裝，專為高效穩(wěn)定轉(zhuǎn)換設(shè)計。具有1000V的高反向電壓額定值（VR），在4A電流下正向壓降僅為1.1V（VF），有效降低功耗，提升系統(tǒng)效率。其強(qiáng)大而穩(wěn)定的電流處理能力可達(dá)4A（IO），確保設(shè)備運行安全可靠。適用于各類高電壓、大電流應(yīng)用場合，是您電路設(shè)計的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU410_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 4A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 4A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標(biāo)價：歡迎咨詢