GBU406_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 此款采用GBU封裝的高性能整流橋器件，專為高效能、低損耗應用設計。其核心參數包括VR最高耐壓600V，確保在常規電壓環境下穩定可靠工作；VF表現優異，僅為1.1V@4A，在4A電流下仍維持較低的電壓降，有效提升電源轉換效率與節能效果；額定輸出電流IO達到4A，提供穩定強大的電流處理能力。廣泛應用于各類中高端電源系統、逆變器及電子設備中，助力提升整體性能和穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU406_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標價：歡迎咨詢