HS6339_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/12A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/13mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOP-8封裝，專為30V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供高達(dá)12A的連續(xù)電流處理能力。具備優(yōu)秀的開關(guān)性能與低導(dǎo)通電阻，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、電源切換以及高功率負(fù)載控制場(chǎng)景，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)高效能、穩(wěn)定運(yùn)行的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HS6339_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/12A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/13mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/12A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/13mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢