- 消息人士:三星和SK海力士將首當其沖受到美國對中國芯片的打擊
- 消息人士:三星和SK海力士將首當其沖受到美國對中國芯片的打擊
- DRAM內存2個月跌了57%,三星、SK海力士、美光愁哭了
- 緊追 SK 海力士,三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存
- 消息稱 SK 海力士正開發基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce:Q2 全球 DRAM 營收 255.9 億美元,三星、SK 海力士共占 70.9% 份額
- 消息稱 SK 海力士將于明年初在美國新建芯片封裝工廠,耗資數十億美元
- 全世界都在大力發展電動汽車,SK 電池材料公司宣布向越南 Vingroup 供應材料
- 美國對華“組合拳”顯成效?傳三星、SK海力士重新評估對華投資,或轉向美國
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存:傳輸速度提升 50%,能耗減少 21%