機(jī)構(gòu)：7nm以下邏輯器件極大地推動(dòng)了全球ALD/CVD前驅(qū)體的增長(zhǎng)

6月27日，半導(dǎo)體電子材料咨詢公司TECHCET報(bào)告稱，2021年，ALD/CVD前驅(qū)體市場(chǎng)總額增長(zhǎng)了21%，達(dá)到13.9億美元，預(yù)計(jì)2022年將增長(zhǎng)12%。2022年的前驅(qū)體市場(chǎng)將超過15.6億美元，原因是受小于7nm邏輯器件產(chǎn)量增加和3D NAND器件堆疊層數(shù)增加的驅(qū)動(dòng)，行業(yè)整體增長(zhǎng)強(qiáng)勁。DRAM制造向EUV光刻的過渡也將帶來(lái)前驅(qū)體收入增加的機(jī)會(huì)。

TECHCET高級(jí)技術(shù)分析師Jonas Sundqvist表示：“ALD和CVD是一個(gè)材料和化學(xué)成分豐富的細(xì)分行業(yè)，具有重大的發(fā)展努力，增長(zhǎng)前景強(qiáng)勁，對(duì)新材料的需求也很大，同時(shí)滿足成本和性能的新制造解決方案將依賴ALD前驅(qū)體材料。”

圖源：網(wǎng)絡(luò)

新材料和相關(guān)工藝技術(shù)正受到器件設(shè)計(jì)變化的推動(dòng)。對(duì)于先進(jìn)的邏輯，晶體管需要新的前體來(lái)形成高k柵介質(zhì)和金屬柵極材料等等。

DRAM存儲(chǔ)單元繼續(xù)追求更高k值的電容器。而先進(jìn)的設(shè)備，需要改進(jìn)的互連布線、絕緣體以及新的或更多的介質(zhì)，以支持EUV和先進(jìn)的ArF光刻。

由于材料的尺寸不斷縮放，特別是ALD沉積的新材料，新的挑戰(zhàn)仍然存在。在過去的5年里，區(qū)域選擇性沉積已經(jīng)成為一種趨勢(shì)，越來(lái)越多的研發(fā)機(jī)構(gòu)將這種方法應(yīng)用到未來(lái)的器件中。