美國的“陽謀”：讓中國芯設計卡死在3nm，制造卡死在10nm
眾所周知，這幾年中國芯片產業(yè)的不斷崛起，特別是制造上，不斷突破，產能急劇提升，在2020年的時候，晶圓產能占全球的16％，已經超過了美國12％。
而按照機構的預測到2030年時，中國晶圓產能會高達24％，而美國會降為10％，不足中國大陸的二分之一，這讓美國大為緊張，所以最近針對中國芯片產業(yè)，美國又下死手了。
中美晶圓產能對比
從當前的情況來看，美國下手，分為三個方面。一是利用520億美元的芯片補貼，拉攏芯片巨頭，到美國設廠，并不準拿補貼的廠商，10年內到中國大陸投資高端芯片，以此鎖死中國高端芯片10年。
二是對EDA進行封禁，直接將開發(fā)GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路必須用到的EDA（電子計算機輔助設計）軟件，被列入管制范圍。
三是對14nm及以下的所有設備，都不準賣到中國大陸來，從制造領域進行打壓。
而美國這三個舉措背后，其實是美國當前的最大“陽謀”，也不遮著掩著，那就是“想讓中國大陸的芯片設計卡死在 3nm，制造卡死在 10nm，然后拉開中美在高速運算、人工 AI 等方面的距離。”。
先說設計卡死在3nm這一塊，因為當芯片進入到3nm時，三星已經使用了GAAFET晶體管，而臺積電在2nm時也會使用GAAFET晶體管。
一旦GAAFET晶體管設計使用的EDA不準中國大陸廠商使用，那么大家基本上芯片設計水平，差不多就卡在了3nm，很難進入到3nm所需的GAAFET技術上來了。
再說制造方面，當前中國大陸最先進的工藝是FinFET技術，也就是中芯的14nm，早已實現(xiàn)了量產。但美國當前想要禁止14nm及以下的半導體設備禁運。
那么我們就只能停留在14nm，很難再進前一步到10nm了，畢竟當前國產半導體設備能夠支持的工藝，大多在28nm，少部分在14nm，只有刻蝕機到了3nm，要補的課還太多，短時間無法突破。
可見，中國要發(fā)展高端芯片，不只是芯片制造環(huán)節(jié)要突破，還包括設計、制造、封測、設備及材料環(huán)節(jié)，以及芯片輔助設計工具（EDA）軟件，只有芯片上下游的每一步都要走得扎實，才能夠突破封測，路還很長。
