臺積電 N3E 工藝良率超預(yù)期，泄露 PPT 顯示平均良率超過 80％

8 月 24 日消息，臺積電已經(jīng)確認(rèn)會在 9 月份量產(chǎn) 3nm 工藝，初期良品率優(yōu)于 5nm，首批 3nm 產(chǎn)能不出意外的話就是蘋果 M2 Pro 和英特爾瓜分，但初期產(chǎn)能不會太多。

不過，初代 N3 工藝主要面向有超強投資能力、追求新工藝的早期客戶，比如蘋果，但局限性也很強，例如時間點比較晚，應(yīng)用面不夠?qū)挕?/span>

不過在 3nm 之后，臺積將在明年推出升級版的 N3E 工藝，也就是 3nm Ehanced 增強版，進一步提升性能、降低功耗、擴大應(yīng)用范圍，對比 N5 同等性能和密度下功耗降低 34％、同等功耗和密度下性能提升 18％，或者可以將晶體管密度提升 60％。

曾報道，《工商時報》分析師認(rèn)為，N3E 工藝將會成為各大廠商量產(chǎn)主力，包括蘋果 iPhone 15 系列的的 A17 處理器、下一代的 M3 處理器，還有 AMD 未來的 Zen5 等等。

據(jù)稱，M3 可用于 MacBook Air 等產(chǎn)品，蘋果有可能增加此型號的顯示屏尺寸，從而通過更強的冷卻解決方案改善散熱效果。其他潛在產(chǎn)品包括更新的 iPad Pro 系列，以及更新的 iMac，以及未來可能的 iPad Air。M3 可能和 M2、M1 一樣，將再次使用 4 個性能核心和 4 個效率核心。

從業(yè)界慣例來看，臺積電會在今年先一步測試 N3E 工藝的性能和試產(chǎn)良率，預(yù)計在 2023 年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。而“芯榜 +”正好泄露了一份臺積電內(nèi)部 PPT，顯示其 N3E 工藝進展非常好，至少在良率方面將會有驚喜。

PPT 顯示，臺積電新一代 N3E 工藝良率超過預(yù)期，其中 N3E 的 256Mb SRAM 平均良率約為 80%，移動設(shè)備以及 HPC 芯片的良率也為 80% 左右，而環(huán)式振蕩器良率甚至能超過 92%。