ASML CTO:EUV光刻技術,或在2025年走到盡頭,意味芯片工藝停止?
眾所周知,目前最牛的光刻機,還是ASML的EUV光刻機,用于7nm及以下工藝芯片的光刻,且全球只有ASML能夠制造EUV光刻機。
自從2015年推出第一代EUV光刻機后,ASML目前也發展了3代,從最開始NXE:3400B,到NXE:3400C再到NXE:3600D,預計在今年可能會推出新一代的機器,叫做NXE:5000。
而到2025年可能會推出全新一代的High-NA EUV光刻機。何謂High-NA EUV,即高數值了孔徑的EUV光刻機。
之前的EUV光刻機,其數值孔徑(NA)為0.33。而High-NA EUV光刻機,其NA達到了0.55。
數值孔徑高了,有什么用?值孔徑代表的其實是解析度(精度),數值孔徑越高,解析度越高,精度也就越高,這樣可以更好,更快的曝光更復雜的集成電路圖案,降低單次構圖間距。
比如數值孔徑為0.55的High-NA EUV光刻機,就可以用于2nm芯片的光刻,而數值孔徑為。0.33NA的EUV光刻機,主要用于3nm-7nm芯片的光刻。
那么全新一代的High-NA EUV光刻機之后,又會是什么樣的光刻機?近日ASML的首席技術官Martin van den Brink接受媒體采訪后表示,這可能是EUV最后一代技術了。
也就是說2025年推出全新的High-NA EUV光刻機NXE:5200之后,可能無法再提升數值孔徑,只能維持在這個精度了。
Martin van den Brink表示,雖然ASML以研究,想要再提升數值孔徑,但目前無法解決難題,并且由于制造成本過高,經濟上也不可行,所以NXE:5200可能是最后的EUV光刻機了。
那么NXE:5200之后,會是什么樣的技術?近日美國某公司推出了電子束光刻機,能夠制造0.768nm的芯片,但無法批量制造芯片,只能小規模的生產。另外還有俄羅斯在研究“無掩膜X射線光刻機”等,據稱能夠比EUV光刻機精度更高。
就看這些與EUV不同的技術,能不能實現更高的精度,并且能夠批量生產了,否則摩爾定律可能真的到了2nm之后,就要失效了,芯片工藝無法再前進了,因為光刻機精度無法再提高了。
