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反超臺積電、三星?英特爾1.8nm芯片今年內(nèi)流片

2022-09-30 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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關(guān)鍵詞: 臺積電 英特爾 三星

眾所周知,目前在先進(jìn)芯片工藝上能夠競爭的,也就只有三星臺積電、intel了,其它的晶圓廠,基本上都沒進(jìn)入10nm,可以說沒資格與三大巨頭競爭。

當(dāng)然,三星、臺積電目前的技術(shù)是3nm,而英特爾是7nm,相差還是比較大的,但是intel一直在“磨刀霍霍”,想盡快追上三星、臺積電,發(fā)力晶圓代工。

與此同時,英特爾將自己的工藝全部重新命名,改為Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A及Intel 18A。

近日,英特爾CEO在創(chuàng)新大會上表示,英特爾計劃在4年內(nèi)搞定5代CPU工藝,也就是從今年到2025年這4年,要搞定從Intel 7到Intel 18A的這5代工藝。

其中Intel 7代表的是12代酷睿上首發(fā)的工藝,對比的是臺積電、三星的7nm工藝,而intel 20A指的是2nm,intel 18A指的1.8nm。

英特爾為了佐證自己的能力能夠4年內(nèi)搞定5代工藝,還表示稱,今年內(nèi)英特爾要實現(xiàn)1.8nm芯片的流片。

不僅如此,英特爾還表示,在進(jìn)入20A工藝時,會采用GAA晶體管,放棄之前的FinFET晶體管。另外在20A、18A上,還會首發(fā)兩大突破性技術(shù),也就是RibbonFET和PowerVia。

其中RibbonFET是英特爾全新的晶體管架構(gòu)技術(shù),而PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò),能夠顯著提升芯片性能,降低功耗。

何謂流片?就是像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片,也可以說就是試產(chǎn)芯片,是位于設(shè)計與量產(chǎn)之間的一個環(huán)節(jié),也可以稱之為小規(guī)模試產(chǎn),生產(chǎn)出幾片,或者幾十上百片來測試。

一般來說,流片就是檢驗芯片是否成功的一個環(huán)節(jié),如果流片成功,同時芯片也點亮,達(dá)到設(shè)計時的要求,那么后續(xù)就可以直接按照流片時的各項參數(shù),進(jìn)行量產(chǎn)了,如果流片不成功,就要不斷修改調(diào)整,直到成功。

所以英特爾表示年內(nèi)流片,即證明1.8nm的芯片已經(jīng)設(shè)計出來,同時具備了晶圓制造的能力和條件。

今年三星還在生產(chǎn)3nm,而臺積電也還在小規(guī)模生產(chǎn)3nm,兩者表示2nm還表示要2025年才能夠量產(chǎn),估計目前還沒有進(jìn)行流片,所以這次確實算是intel領(lǐng)先了。

接下來就看三星、臺積電、英特爾這三大廠商,在先進(jìn)工藝上如何競爭了,其它晶圓廠們,就搬凳子看戲吧,反正也沒資格參與。



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