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美國打壓中國存儲,韓企贏得時間,發布300層堆疊NAND芯片

2023-03-22 來源:只談數碼科技
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關鍵詞: 芯片 海力士 長江存儲

眾所周知,中國存儲芯片廠商長江存儲,最全球第一家量產232層3D NAND閃存的廠商,其量產的時間早于美光、三星、SK海力士等。

而基于其232層3D NAND閃存制造的SSD,在性能上已經超過了美光、三星、SK海力士的產品,可以說長江存儲,是國內少有的在半導體領域上,超過美國的中國企業。

不過后來的故事,大家也清楚了,技術太先進,把美國嚇住了,于是將長江存儲拉入了“實體清單”,對一些先進設備進行了限制。

事實上我們很清楚,長江存儲能夠實現突破,一方面是自己的Xtacking(也稱之為“晶棧”)技術很牛,將讀、寫兩塊分開了,這屬于創新性的架構。

另外一方面,還是依賴了美國的技術,比如美國的KLA Corp. ( KLAC ) 和泛林集團 ( Lam Research Co., LRCX ) 等,就為長江存儲的232層工藝提供了設備以及技術支持。

而一被列入“實體清單”后,先進的設備無法購買,原本合作的美國廠商,也暫停了對已安裝設備的支持,暫停了新設備的安裝調試,還暫時撤出他們在駐廠的員工。

導致長江存儲新產品擴產陷入了困境,產能一下子提升不起來。這會造成什么后果,當然是錯過通過技術搶占市場的窗口期,而這也是美國的目的。

因為如果中國存儲廠商技術先進,產能又不斷的提升,那還有美國廠商什么事?當然是要打壓下來,然后讓中國廠商的產能無法提升,這樣無法占領市場,那么當美國廠商技術上來了,就能夠占領了市場,那時候就無所謂了,美國打壓的就是這個窗口期。

果然,后續來了,近日韓國存儲廠商SK海力士第 70 屆 IEEE 國際固態電路會議 (ISSCC) 上,展示了最新300 層堆疊第8代 3D NAND Flash的原型。

這種存儲芯片,堆疊超過 300 層,容量為 1Tb(128GB),具有20Gb/mm2 單位容量,最大數據傳輸速率將達到 194 MB/s,比上一代高出18%。

而存儲密度提升一倍,就意味著成本要大幅度降低,這種芯片一推出,明顯會比長江存儲232層 3D NAND更有競爭力。

而美光也表示,很快要推出300層以上堆疊的3D NAND閃存芯片,時間預計在今年年底,或明年上半年,至于大規模推出市場,可能會在2024年下半年去了。

很明顯,美國打壓中國存儲芯片的目的,部分實現了,就是想讓我們就算研發出新技術,也要錯過這個領先的窗口期,從而無法提升市場規模,最終高端市場就還是美系廠商或美國盟友的。



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