存儲芯片,壓得韓國喘不過氣
受去年終端需求持續低迷的影響,嚴重依賴芯片出口的韓國經濟最近有些“崩潰”。
芯片滯銷,韓國芯片庫存創26年新高,出口持續下滑,2月出口額更是暴跌41.5%,其中對華半導體出口額下滑了24.2%,這是連續第9個月的下滑,要知道中國是韓國最大的芯片出口國,巔峰時占了韓國芯片出口額的一半。
韓國財長對前景表示擔憂,如果半導體行業不能復蘇,韓國在短期內也無法擺脫目前的低迷狀態。
存儲芯片又是韓國支柱性半導體產業(非內存芯片僅占5%),今年韓國存儲芯片出口額持續腰斬,不僅如此,存儲芯片的價格持續暴跌,跌無可跌,拖累韓國出口貿易。
韓國出口持續低迷拉響全球經濟乃至半導體低迷警報,存儲芯片的表現為何如此慘烈?回顧每個階段的半導體市場,為什么存儲芯片總是最慘的?
01
利潤暴跌,裁員降本
存儲市場跌成啥樣了
存儲芯片兩大主要產品DRAM和NAND廠商的表現,從市占率較高的寡頭身上體現得淋漓盡致。
DRAM目前被三星、海力士和美光這三家巨頭壟斷,占比約96%,兩家韓企三星電子和SK海力士分別占據41.8%和18.5%的份額。NAND也呈現集中度較高的局面,三星、鎧俠和SK海力士合計占比達65%。
被認為是驅動三星電子增長的兩駕馬車DRAM和NAND閃存(市占分別為50%和30%),最近的表現卻一敗涂地。
近日媒體報道,傳三星存儲業務今年Q1或虧損4萬億韓元(約合31億美元),消息人士指出,三星晶圓代工業務雖然獲利,但目前規模仍小,尚不足以彌補存儲器的巨大虧損。三星去年Q4的半導體業務業績已經很難看,由于客戶繼續處理大量庫存,去年Q4芯片部門利潤驟降96.9%至2700億韓元(約合2.2億美元)。
三星的庫存年增長率創下歷史新高,去年Q4 52.2萬億韓元(約399億美元)的庫存里,其中29.1萬億韓元(約223億美元)的庫存來自內存、IC和晶圓代工業務所在的DS業務部門,年增長76%。
老二韓國SK 海力士,去年Q4開始業績開始從盈利轉虧損,營業虧損約1.7萬億韓元,凈虧損約3.5萬億韓元,這是2012年Q3以來SK 海力士首次出現季度營業虧損。DART數據顯示,SK 海力士的庫存增至15.7萬億韓元,年增長率為75%。此外,SK 海力士表示2023年投資額會比2022年的19兆韓元減少一半以上。
大洋彼岸的美光,其2023財年第一季度財報收入40.9億美元,環比下降 38.4%,同比下降 46.8%。美光預估2023年第三季度(本季)的利潤將會低于預估。2022年年末,美光一系列降本措施不斷刷屏,包括裁員10%、暫停股票回購、削減高管工資、不支付獎金等。到今年美光再次表示還沒裁夠,將加強力度,裁員15%。
面對慘淡的經營情況,鎧俠表示將持續減產,2022財年第三財季鎧俠營收為2782億日元(約合19.64億美元),環比下滑28.9%,同比下滑30.9%。鎧俠和西部數據合并談判重啟,兩家存儲巨頭正嘗試抱團取暖。
壟斷寡頭業績下滑明顯,其他廠商在慘淡的大背景下也難逃波及。華邦電子2023年1月合并營收較前一個月減少24.58%,較前一年同期減少43.78%;南亞科1月營收為22.51億元,較前一個月減少6.20%,較前一年同期減少66.76%;旺宏1月合并營收為22.12億元,月減14.34%,年減40.51%,為自2019年5月以來、近45個月低點。
業績如此難看,存儲市場到底跌成啥樣了?
價格方面,根據TrendForce的最新數據,DRAM的價格在2022年Q4暴跌34.4%,比上個季度更過分。NAND的表現雖然略好一些,但也在2022年的Q3、Q4創下了2006年以來情況最惡劣的跌價紀錄。存儲這一輪的下跌時長已經超過18個月,已經快跌無可跌了。
有業內人士表示:“現在價格基本上到底了,倒掛太久了。以前拿一單貨至少幾百萬美金,現在用不了那么多,五折是普遍現象,更有甚者,四折也可以拿到貨。”
價格賣不動,需求也沒有,可以說存儲目前正處于量價齊跌的狀態。
前幾日,DrameExchange公布了2022年Q4全球DRAM市場以及NAND市場的數據,簡單來說,整個存儲器市場在最近半年里跌沒了一半......

來源:半導體綜研

來源:半導體綜研
這輪跌價主要受到新冠特殊需求減弱以及全球通貨膨脹的影響。
2020年全球新冠疫情爆發,居家需求猛漲,PC、手機等電子設備出貨量明顯增長,對于存儲的需求也同步增加,廠商開始擴產。但供不應求,2021年開始的“缺芯潮”又引發了眾多廠商囤貨備貨、超額下單。
但是,2022年之后,新冠的影響減弱,人們開始回歸正常生活,對居家辦公的消費電子需求開始走弱。加之俄烏沖突、通貨膨脹,經濟不景氣,消費意愿大不如前,需求持續低迷,之前的存貨積壓過剩,已經擴產的廠商又停不下來,存儲芯片變得供遠大于求。于是,高樓崩塌。
02
存儲芯片
為什么總是那么慘?
我們都知道半導體行業有其獨特的“硅周期”,也就是每隔3-4年左右就會出現一次繁榮和蕭條的交替。目前正處于半導體行業的下行階段,但是以存儲為主要業務的廠商,他們的財報要比其他半導體廠商更難看。而此類現象,并不是今年獨有。
由于DRAM市場更集中、并且利潤率更高,所以一般以DRAM的價格追蹤存儲周期。

來源:雪球財經@Jack研究
從TrendForce的數據來看,DRAM基本遵循了4年一個周期的特征。2022年的“同款暴跌”分別在2012年、2016年、2020年左右出現。此前價格觸底時,都同比下跌超過40%,目前的下跌幅度已經接近于往年紀錄。
為什么大家都不好過的時候,存儲過得尤其慘?
首先,由于存儲市場具有明顯的買方市場特性,因此行業情況主要受下游需求端的影響。從目前存儲器的下游需求分布來看,手機、服務器和PC市場構成了存儲行業近90%的需求。
此輪半導體行情走跌,首先發生變化的就是智能手機和PC。受全球性通貨膨脹等影響,最終消費趨冷,而約60%的下游需求的嚴重下滑,也使存儲市場受到了極大的影響。
其次,存儲芯片具備大宗商品特征,短期內供需錯配導致其價格周期性波動明顯。存儲芯片的技術標準化程度高,各個廠商的同類產品之間有較高的可替代性。存儲芯片廠商很難通過差異化形成客戶粘性,以獲得更多的溢價。因此,存儲的價格一般都是買方與賣方“周旋”的結果,基本上,市場的供需情況決定了價格的高低。
此外,由于存儲市場呈現高度集中的情況,因此寡頭們的動作可以對市場造成顯著影響。一個大廠的的產能調整會迅速引起其他廠商“跟風”,加劇存儲市場的產能過?;蛘弋a能不足,也就導致了存儲市場的強周期性波動。
存儲龍頭既是存儲周期的主要影響者,又是周期變化的共同承受者。而存儲芯片也因其強周期性以及高度集中的特點,呈現“大開大合”的局面。
03
再慘也要卷技術
雖然市場還很慘淡,但是存儲大廠們還沒有停下“內卷”步伐。
在NAND Flash領域,想要繼續霸占市場,就要不斷擴展存儲密度和降低成本。大約每兩年,NAND Flash行業就能夠大幅提高存儲密度。對于NAND來說,層數越多,容量就越高。在3D NAND技術進入市場之后,就開始了層數的“內卷”。老大三星電子在2022年年末已經宣布量產236層的第8代V-NAND。美光也在去年宣布量產232層NAND閃存芯片。
在DRAM領域,要想進入到10nm工藝以下,EUV不可不爭。目前,三星電子基于極紫外(EUV)光刻技術的1z-nm工藝的DRAM已于去年2月份完成了量產,并且三星表示在下一代DRAM中還將繼續增加EUV步驟。EUV現在只有ASML能做,每年產能有限,據說排隊已經排到好幾年之后了。
然而,即使用上了EUV,也不能確保滿足未來十年所需的位密度改進。在傳統DRAM架構面臨性能與工藝極限的情況下,DRAM大廠們正在考慮將單片3D DRAM(類似 3D NAND)作為長期擴展的潛在解決方案。
韓廠在2021年正式開卷,2021年三星建立了下一代工藝開發團隊,開始對3D DRAM進行實質性工程研究。但是美光更有效率,已獲得30多項3D DRAM專利技術,相比韓國廠商有明顯優勢。存儲芯片當然也在摩爾定律的范圍之內,要想緊跟時代需求,“內卷”的步伐不能停下。
最近,ChatGPT等人工智能開始爆火,國內外大廠紛紛入局,激烈的競爭也將帶動對高性能和大容量存儲半導體的需求增加,外加各存儲大廠已紛紛下調產能計劃,有機構指出,存儲價格有望逐漸接近下行周期底部,并看好2023年下半年存儲板塊迎來止跌。
