臺(tái)積電、英特爾、三星3巨頭拼工藝、拼封裝，大陸廠商只能看戲
英特爾傳出新消息，要在10年內(nèi)投800億歐元，建立晶圓廠，對(duì)抗臺(tái)積電。而第一步是先在德國(guó)投1200億元，建立兩家晶圓廠，2027年就要投產(chǎn)2nm。
至于臺(tái)積電、三星，那就不用說了，早就在晶圓制造上，花重資了，去年就量產(chǎn)了3nm，至于2nm預(yù)計(jì)在2024年或2025年就會(huì)實(shí)現(xiàn)。
說真的，目前全球也就臺(tái)積電、三星、英特爾這三大廠商的工藝進(jìn)入了10nm，也只有這三大廠商，有能力，有實(shí)力在先進(jìn)工藝上不斷進(jìn)步，其它的芯片巨頭們，在這三巨頭前，還真不太夠資格。
三家廠商火拼先進(jìn)工藝，不過是為了搶市場(chǎng)，搶位置，畢竟先進(jìn)工藝的市場(chǎng)就那么大，養(yǎng)活不了太多的企業(yè)，誰的技術(shù)更強(qiáng)，更先進(jìn)，誰就占了先機(jī)。
事實(shí)上，除了拼先進(jìn)工藝外，這三家巨頭目前的比拼，還涉及到了另外一個(gè)領(lǐng)域，那就是先進(jìn)封裝技術(shù)。
因?yàn)樵诤竽枙r(shí)代，先進(jìn)封裝可以在不提升芯片工藝的前提下，獲得性能的提升。
比如臺(tái)積電有CoWoS Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)，三星搞了自己的I-Cube、X-Cube、R-Cube和H-Cube四種先進(jìn)封裝方案。英特爾搞了新的三大先進(jìn)封裝技術(shù)，分別為Co-EMIB、ODI和MDIO。
而在此之外，intel、臺(tái)積電、三星、ARM等一共10大巨頭還成立了小芯片聯(lián)盟，搞出了一個(gè)UCle標(biāo)準(zhǔn)，也是基于先進(jìn)封裝的技術(shù)。
但讓人遺憾的是，這三大巨頭不管是火拼先進(jìn)工藝，還是火拼先進(jìn)封裝技術(shù)，大陸的廠商都只能看戲，參與不了。
一方面是先進(jìn)工藝方面，國(guó)內(nèi)目前最先進(jìn)的還在14nm，最近中芯把14nm工藝介紹都從官網(wǎng)刪除，原因大家懂的，不黑不吹，大陸的芯片工藝離5nm、3nm、2nm這些還太遙遠(yuǎn)，沒資格參與。
另外一方面是這3大巨頭的先進(jìn)封裝技術(shù)，國(guó)內(nèi)也用不了，也沒有這技術(shù)，更多的還是針對(duì)于一些成熟工藝的標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù)。
可見，對(duì)于大陸的芯片企業(yè)們而言，路還很漫長(zhǎng)，還需要繼續(xù)艱苦努力，目前離參與的資格都沒有。
