賽微電子擬投資10億建設6-8英寸GaN芯片晶圓制造項目

賽微電子發布公告，與青州市人民政府簽署了《合作協議》，共同推進6-8英寸GaN芯片晶圓制造項目的建設，將在租賃現成土地廠房的基礎上進行適應性補充建設，且已經鎖定成套熱線設備、目標是在2021年內建成并做好投產準備，有利于公司進一步完善GaN業務的全產業鏈IDM(垂直整合制造)布局。

　　賽微電子表示擬在青州經濟開發區發起投資10億元分期建設聚能國際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目，總占地面積30畝，一期建成投產后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5,000片/月的生產能力，二期建成投產后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12,000片/月的生產能力。