多個跡象表明，存儲行業即將走出底部形態

整個存儲行業的周期底部越來越明顯，行業也是即將走出拐點，迎來產能和業績的雙重豐收。

群聯CEO潘健成表示，NAND閃存芯片市場目前的庫存水平仍然很高，價格已經跌破了制造商底線，影響了盈利能力，因此上游NAND原廠有強烈的意愿從7月開始漲價。

潘健成表示，目前部分NAND主控芯片需求迫切，部分型號甚至出現了供不應求的狀況，這反映了市場正在逐步回暖，對NAND固態硬盤模塊的需求也在慢慢增加。

近期部分NAND主控芯片供應短缺，主要是一些工業用產品或高端應用，如UFS、PCIe產品，這正是市場反彈的信號。

TrendForce近日在報告中表示，DRAM現貨市場中，近期低價DDR4產品出現零星漲價；由于芯片供應充足，DDR5產品價格不斷走低。之后該機構另一份報告指出，DRAM市場中買家與供應商已開始討論第三季度合同，初步報價顯示，DDR5與LPDDR5X產品價格進一步下跌的空間已經不大。


行業巨頭怎么看？

DRAM大廠南亞科7月10日召開第二季度財報法說會。會上，公司總經理李培瑛表示，本季DRAM整體平均價格依舊微幅下跌，但已看到部分產品報價呈現平穩或小幅增長，如高階AI內存及部分消費性應用品項都開始漲價，這是正向信號，代表市場狀況逐步筑底、走向供需平穩。

南亞科為全球第四大DRAM廠商，前三大分別為三星電子、SK海力士、美光科技。業績方面，南亞科第二季度實現營收70.27億元新臺幣，環比增長9.4%；6月營收為24.58億元新臺幣，環比增長6.45%，營收已連續4個月增長，并創今年新高。

美光、SK海力士對于存儲行業后續的市場情況也同樣保持樂觀的態度。美光科技近期表示，存儲行業已經度過了當前低迷的低點；SK海力士高管也預計，在中國需求復蘇和人工智能的大力推動下，該行業的低迷現象今年晚些時候會有所緩解。高盛分析師在研報中指出，三星芯片業務的虧損將逐步縮小，然后在第四季度實現小幅盈利。

縱觀近幾個月來DRAM價格走勢，據日經報道統計，此前截至2023年4月，DRAM價格連續12個月下滑，作為價格指標的“DDR4 8GB”產品的6月的大宗交易價格比1年前下跌45%。

但DRAM芯片價格跌勢有望收斂/止跌。市場研究機構TrendForce在近日報告中指出，受惠于DRAM供應商陸續啟動減產，整體DRAM芯片供給逐季減少；加上季節性需求支撐減輕供應商庫存壓力，因此預計2023第三季度DRAM均價跌幅將收斂至0-5%。與此同時，群聯CEO近期也透露，NAND Flash原廠漲價意愿也非常強烈，希望能從7月開始漲價。

對于近期的存儲市場情況，NH Investment & Securities的分析師Doh Hyun-woo做出研判稱，預計自第三季起，存儲芯片市場有望快速回溫，DRAM和NAND Flash均價將分別上漲7%、5%，擺脫連季下跌的頹勢。

從需求端來看，據李培瑛透露，下半年手機新機上市，平均DRAM搭載量增加；PC端庫存逐步修正至正常水準，下半年出貨有望優于上半年。另外，電視、網通等消費電子終端產品需求相對健康，下半年會逐漸回溫。


AI帶來的存儲新增量

在ChatGPT快速發展的浪潮之下，算力缺口逐漸擴大，而運算規模的增長，帶動了對AI訓練芯片單點算力提升的需求，也對數據傳輸速度提出了更高的要求。

但現實的情況卻是算力的發展速度遠超存儲的發展速度，在過去二十年中，處理器性能以每年大約55%的速度提升，內存性能的提升速度每年只有10%左右。因此，目前的存儲速度嚴重滯后于處理器的計算速度。

而在能耗方面，從處理單元外的存儲器提取所需的時間往往是運算時間的成百上千倍，因此能效非常低。“存儲墻”成為加速學習時代下的一大挑戰，原因是數據在計算單元和存儲單元的頻繁移動。

在傳統計算機架構中，存儲與計算分離，存儲單元服務于計算單元，因此會考慮兩者優先級。

如今由于海量數據和AI加速時代來臨，不得不考慮以最佳的配合方式為數據采集、傳輸、處理服務，然而存儲墻、帶寬墻和功耗墻成為首要挑戰，雖然多核并行加速技術也能提升算力，但在后摩爾時代，存儲帶寬制約了計算系統的有效帶寬，芯片算力增長步履維艱。

而此時，存算一體技術出現了，存算一體是在存儲器中嵌入計算能力，直接利用存儲器進行數據處理或計算，從而把數據存儲與計算融合在同一個芯片的同一片區之中，便可以徹底消除馮諾依曼計算架構瓶頸，特別適用于深度學習神經網絡這種大數據量大規模并行的應用場景。

可以說，未來的算力會與存力相捆綁，AI服務器出貨量的增加，也都將成為存儲發展的增量空間。


國產存儲初露鋒芒

過去，在三大巨頭的牢牢把控下，我國在該領域中根本沒有任何議價權，內存也成為“理財產品”的常客，價格經常一漲再漲。此外，三星工廠不時的“起火”、“停電”，都表現出一副不愁產品銷路的嘴臉。

但近年來，在長存、長鑫等企業的努力之下，國產存儲也實現了從無到有的突破，打破了日韓廠商長期壟斷市場的局面，同時，產業鏈上也出現了許多優秀的公司，并在行業周期底部之時，被眾多投資者關注了起來。

當前，兆易創新，主要立足NOR多產品線外拓布局，可能將迎來平臺化高速增長期。

公司作為NOR Flash龍頭，正在積極拓展DRAM 市場。據公司公告稱，已于2021年6月成功量產自有品牌19nm DRAM，未來將朝17nm演進。而在今年3月的公告中，兆易創新也表示，是有著與合肥長鑫存儲發生采購DRAM產品及代工業務的，并且2022年與長鑫的實際采購額達8.74億元（其中自研2.61億元，代銷6.13億元）較2021年的2億元金額實現了大幅增長。

根據券商預測，2023上半年與長鑫關聯交易金額將繼續增加至5.55億元，而未來有望借助NOR銷售渠道復用與客戶資源快速放量，帶動市占率增加。

長江存儲，則是目前大陸唯一的3D NAND閃存一體化廠商，被很多業內人士認為是存儲界的“京東方”。

長江存儲作為國內唯一一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業。經過六年多創業歷程，通過創新3D NAND新一代技術架構，實現了對全球頂級存儲廠商的超越，也真正打破了日韓三巨頭對中國的存儲封鎖線。

在長江存儲正式成立后，公司將主要精力投入到與中科院微電子所的合作上來，分別在2017年、2018年、2020年成功研發出32層、64層、128層的3D NAND產品，并在2018年8月首次推出自研Xtacking技術架構，實現了閃存技術架構的突破性創新。

而到了2021年之后，長江存儲128層堆疊的TLC產品全面量產，并發布了搭載128層TLC顆粒的自有品牌致態最新系列TIPro7000，正式代表著長江存儲128層TLC工藝良品率邁入量產等級。

此外，更是在2022年年底的閃存峰會上，正式發布了基于Xtacking 3.0技術的第四代TLC三維閃存X3-9070，成功突破200層數，達到了232層，這也標志著長江存儲在短短六年的時間中，便達到了世界領先水準，更是得到了蘋果的認證。

在技術突圍之外，長江存儲的存在更加重要的意義則是，中國不再被日韓存儲巨頭“卡脖子”，而這也是全產業鏈的國產化的過程中邁出的重要一步。

展望未來，在產業鏈國產化的過程中必將遇到很多問題，也需要國家、企業投入更多的成本，但也只有前期投入，才能打出更多在國際市場上具有競爭力的產品，讓更多更好的技術與產品服務廣大的消費者。