東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管，助力提高工業(yè)設(shè)備效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款產(chǎn)品（均為650V）中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。

新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優(yōu)化了第2代產(chǎn)品的結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[2]。它們實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先[3]的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新產(chǎn)品還在正向電壓與總電容電荷之間以及正向電壓與反向電流之間取得了平衡，從而在降低了功耗的同時提高了設(shè)備效率。

  應(yīng)用

-     開關(guān)電源

-     電動汽車充電樁

-     光伏逆變器

  特性

-     業(yè)界領(lǐng)先[3]的低正向電壓：VF＝1.2V（典型值）（IF＝IF(DC)）

-     低反向電流：TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）（VR＝650V）

-     低總電容電荷：TRS6E65H QC＝17nC（典型值）（VR＝400V，f＝1MHz）

  主要規(guī)格

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 截至2023年7月。

[2] JBS結(jié)構(gòu)可降低肖特基界面處的電場，從而減小了漏電流。

[3] 截至2023年7月的東芝調(diào)查。