又一家手機廠商自研芯片失敗，今年應屆生或被全部優(yōu)化！

8月9日消息，據相關媒體報道，吉利旗下星紀魅族將調整芯片業(yè)務或放棄自研芯片，今年應屆生或被全部優(yōu)化。

此前，有不少疑似星際魅族的員工爆料，公司疑把今年入職的應屆生全部優(yōu)化。因芯片投資周期長，成本高，AR芯片現在沒有出產品，影響上市計劃，星紀魅族計劃調整芯片業(yè)務。該部門大約有200名員工，今年入職的應屆生有40余人。調整計劃是裁撤所有應屆生，留一小部分老員工，賠償方案正在商定中。

針對芯片業(yè)務調整一事，星紀魅族方面回應稱，面對全球經濟環(huán)境的不確定性，星紀魅族集團決定終止自研芯片業(yè)務，更加聚焦產品創(chuàng)新和軟件用戶體驗。由于相關業(yè)務調整，涉及到部分人員調整優(yōu)化，公司正在積極協調，溝通解決方案，依法合規(guī)妥善解決問題，針對受影響的應屆畢業(yè)生，公司也在通過內部推薦等方法最大限度分流。

據星紀魅族官網顯示，芯片研究院所屬的前瞻技術體系，被列為星紀魅族七大業(yè)務之一，涵蓋芯片技術、核心算法、操作系統等。在此前舉辦集團戰(zhàn)略溝通會上，星紀魅族董事長兼CEO沈子瑜曾表示，前瞻技術連同手機/車機、XR技術，是未來星紀魅族的三大核心戰(zhàn)略。

三大手機廠商自研芯片全部失敗

繼OPPO哲庫宣告解散后，星紀魅族成為第三家自研芯片失敗的手機廠商。

縱觀國內手機廠商中，為了進一步打出差異化的賣點，與友商拉開明顯的差距。“華米OV”都曾懷著勢不可擋的勇氣加入自研芯片戰(zhàn)局。不過，能笑到最后的只有少數幾家，或因為自研芯片難度太大，沒有產出，投資方不愿再注資，計劃破產；或因為芯片產出了，卻因受到無端制裁，而陷入沉寂。

2004年，華為海思成立，通過長達9年的埋頭研發(fā)，其麒麟系列第一款麒麟910芯片在2013年正式面世。這一年剛好是智能手機爆發(fā)增長時期，在芯片設計方面，國內手機廠商還依賴著國外技術，彼時華為海思通過麒麟芯片率先占領國內手機廠商自研芯片市場高地。

在麒麟芯片問世一年后，小米加入。2014年，小米在北京成立全資子公司松果電子，暗自發(fā)力芯片研發(fā)。三年的夙興夜寐，終于在2017年2月春，小米成功發(fā)布首款自研手機芯片澎湃S1，并成為繼蘋果、三星和華為之后的全球第四家同時具備手機及芯片設計研發(fā)的企業(yè)。然而，后續(xù)小米的自研芯片之路并不順利，其萬眾矚目的澎湃S2五次流片均告失敗，自研SoC計劃也暫時畫上了句號。

2021年VIVO執(zhí)行副總裁兼首席運營官胡柏山首次對外披露VIVO的芯片戰(zhàn)略，宣布VIVO將主要圍繞設計、影像、系統和性能四個長賽道展開。同年9月，VIVO不負眾望推出首款自主研發(fā)專業(yè)影像芯片“VIVO V1”。

2019年，oppo率領旗下公司哲庫組建芯片團隊，哲庫總裁陳明永立下“十年之約”，志在NPU芯片領域干出一番大事業(yè)。可惜的是，OPPO哲庫在NPU芯片上留下重要性成果之后，在2023年撤銷了研發(fā)團隊，退出自研芯片舞臺。

一直以來，半導體行業(yè)都沒有漫不經心的成功，全是是蓄謀已久的出擊，駕輕就熟的背后是有備而來。華為自研SoC成功是通過長達9年的埋頭研發(fā)，10年研發(fā)支出超9700億的大手筆投資。

自研芯片從來不是一條容易走的路，失敗和中斷總是穿插其中，成功少有，遺憾才是常態(tài)。華為被制裁，OPPO解散團隊，小米不及預期，星紀魅族芯片業(yè)務調整，這些事實告訴我們，有時候，努力并不一定會有成果。

但是，不努力，一定不會有成果。雖然手機SoC這條路我們走得相當困難，但我們在其他道路已經有所突破。

MCU領域中，近幾年在國產替代的大風口之下，國內MCU廠商如雨后春筍般出現，據不完全統計，已經有近百余家，他們往往從小家電和工業(yè)控制為切入口，出于供應鏈安全考慮，國內部分客戶對使用國產 MCU 的意愿不斷增強，這幾年逐漸實現了一定的國產替代。

如國產MCU廠商——先楫半導體，其主打產品HPM6000系列芯片立足于國產RISC-V MCU領域，在高速和高可靠性上與主流國際原廠媲美，實現了創(chuàng)新型替代。與國際品牌T公司C2000相比，先楫HPM6200系列CPU性能實現了超越。HPM6200主頻600MHz，而C2000在200MHz以內；再和國際品牌S公司的G4系列對比，HPM6200系列在CPU性能、16位ADC、PLA等性能和功能上實現超越。

先楫半導體主要產品介紹：

HPM6700/6400系列芯片

HPM6700/6400 系列產品是先楫半導體推出的高性能高實時 RISC-V MCU 旗艦產品，目前已經量產。與國際競品相比，HPM6700系列芯片單核運行主頻即可達到驚人的816MHz，在CoreMark跑分測試中，HPM6700獲得了9220的高分，成功刷新了國際MCU領域的性能記錄。

在具體性能方面，HPM6700/6400系列芯片采用RISC-V 內核，支持雙精度浮點運算及強大的 DSP 擴展，主頻頻率創(chuàng)下了MCU 性能新紀錄，是目前市場上高性能MCU的理想之選。此外，該系列芯片還配置了高效 L1 緩存和本地存儲器，加上 2MB 內置通用SRAM，極大避免了低速外部存儲器引發(fā)的性能損失。

HPM6700/6400系列芯片還擁有強大的多媒體支持能力和豐富外設接口，其適配的LCD顯示控制器可支持高達1366x768 60fps的八圖層RGB顯示支持，支持圖形加速功能，可支持雙千兆以太網，IEEE1588，雙目攝像頭。并具有4個獨立的pwm模塊，每個模塊可生成8通道互補PWM，及16通道普通PWM、3 個 12 位高速 ADC 5MSPS、1 個 16 位高精度 ADC 2MSPS、4 個模擬比較器等多個接口。

HPM6300系列

先楫半導體推出的HPM6300全系列產品采用晶心Andes D45 RISC-V內核，支持雙精度浮點運算。模擬模塊包括16bit-ADC，12-bit DAC和模擬比較器，配以多組納秒級高分辨率PWM，為馬達控制和數字電源應用提供強大硬件支持；通訊接口包括了實時以太網，支持IEEE1588，內置PHY的高速USB，多路CAN-FD及豐富的UART，SPI，I2C等接口。

HPM6300的主頻達到648MHz, 并具有FFA協處理器，能實現FFT/FIR快速計算，具備3個16位的ADC、10/100M以太網等，適合工業(yè)自動化、電網等行業(yè)應用，如工業(yè)自動化領域的伺服驅動器、PLC、工業(yè)控制器，電網的DTU、斷路器等產品。

不僅在性能方面表現優(yōu)異，HPM6300同時也是一款高性價比的產品，其高實時性、互聯性、16位ADC的特性，一經推出就獲得了自動化、電網、新能源客戶的認可。目前已在行業(yè)頭部客戶中導入產品設計，在FFT、AI推理性能上超越了傳統的DSP。

在工業(yè)領域，電機驅動是整個自動化的基礎應用，如用于CNC機床、機器人的伺服驅動器，用于新能源汽車的主驅、壓縮機驅動等。由于這些行業(yè)本身的發(fā)展和需求增加，對MCU提出了更高的要求，如高算力、高實時性、16位ADC、單芯片多軸控制等。

HPM6200系列

HPM6200是先楫半導體推出的高性能、高實時、高精度混合信號的通用微控制器系列，為精準控制而生，主要應用領域包括新能源，儲能，電動汽車，工業(yè)自動化等。

性能方面，HPM6200系列芯片主頻達到600MHz， 是RISC-V 單雙核處理器，帶有FPU和DSP，內置4 組8通道增強型 PWM 控制器（8ch/組），提升了系統控制精度，可實現單芯片控制多軸電機或者單芯片實現復雜拓撲的數字電源。同時配備了可編程邏輯陣列 PLA， 3 個 2MSPS 16 位高精度 ADC， 16個模擬輸入通道以及4 個模擬比較器和 2 個 1MSPS 12 位 DAC。