美芯真的慌了，被中國芯片舍棄的芯片設計，高通重新?lián)炱饋?/h1>

在蘋果的iPhone15發(fā)布之后，另一大重頭戲將是高通即將發(fā)布的高端芯片驍龍8G3，業(yè)界人士指出高通為了縮短與蘋果的差距，驍龍8G3采用了更激進的設計，進一步減少了小核心的數(shù)量，如此可能導致的發(fā)熱問題再度重演。

據(jù)了解驍龍8G3將采用四叢集設計，這是中國芯片企業(yè)開創(chuàng)的芯片架構，當時聯(lián)發(fā)科推出的helio X20采用了雙核A72+四核高頻A53+四核低頻A53的設計，以A72提供高性能，以八核A53沖高整體跑分，這種開創(chuàng)式設計在當時曾引發(fā)了熱議。

更多核心和更多叢集的設計由聯(lián)發(fā)科引領，其實也是當時聯(lián)發(fā)科的無奈，由于聯(lián)發(fā)科在技術方面與高通存在差距，以致于聯(lián)發(fā)科在手機芯片市場一直都只能跟在高通的屁股后面，為此迫使聯(lián)發(fā)科不得不采用更激進的設計。

然而聯(lián)發(fā)科的多核設計和多叢集設計最終并未能幫助它在手機芯片市場趕超高通，而helio X20更可以說是聯(lián)發(fā)科的滑鐵盧，X20未能獲得太多手機企業(yè)的認可，到了X30更是只有魅族采用，在高端市場大受打擊之后，聯(lián)發(fā)科暫時放棄了高端芯片市場，而專注于中低端芯片市場，直到2年后的2019年中國手機因為美國的原因再度支持聯(lián)發(fā)科，2020年聯(lián)發(fā)科首次在年度芯片出貨量上超越高通，聯(lián)發(fā)科才重回高端芯片市場。

從helio X20也可以看出，雖然聯(lián)發(fā)科激進地采用了三叢集設計，但是聯(lián)發(fā)科為了降低功耗只是采用了兩個高性能核心A72，另外八個核心都是低功耗的A53，可以看出聯(lián)發(fā)科為了控制功耗，在核心選擇方面還是較為保守的。

多年之后，高通又撿回了聯(lián)發(fā)科舍棄的多叢集設計，其實也得到了教訓，高通的首款多叢集設計芯片為驍龍888，驍龍888激進地采用了ARM的首款超大核心X1，結果就是驍龍888成為火龍，導致當年采用驍龍888的多款中國手機被用戶詬病發(fā)熱嚴重。

其實這已不是高通第一次得到教訓了，多年前ARM首次推出高性能核心A57的時候，高通也是嘗鮮者，結果采用A57的驍龍810成為史上最知名的火龍，也導致那一年高通的高端芯片驍龍大跌八成，而高通顯然未吸取教訓，不僅驍龍888再次成為火龍，連隨后同樣采用三叢集設計的驍龍8G1也有較大的發(fā)熱問題，當然這個也與三星的工藝不過關有關，直到采用了臺積電的4納米工藝才接近發(fā)熱問題。

驍龍8G1為單核X2+三核A710+四核A510架構，這樣的設計都容易出現(xiàn)發(fā)熱問題；這次的驍龍8G3據(jù)悉可能采用了四叢集架構，即是單核X4+雙核A715+雙核A710+雙核A510架構，低功耗核心進一步減少一個，而性能核心則增加了一個，如此驍龍8G3的發(fā)熱量必然會比驍龍8G1更大，而工藝方面則仍然是臺積電的4納米，能否控制發(fā)熱就是值得商榷的問題。

當然高通激進的設計讓驍龍8G3在性能方面確實表現(xiàn)較為出色，geekbench的數(shù)據(jù)指單核提高了15%左右，但多核高了27%，這就證明了它采用更多的性能核心讓它的多核性能提升幅度更大。

高通如此激進在于它當下面臨的窘境，高端芯片市場已成為它最后的陣地，不過近期國產5G手機的推出讓它在高端芯片市場失去6000萬芯片訂單，聯(lián)發(fā)科又在不斷進攻，促使它不得不以更激進的態(tài)度設計芯片，保住最后的市場優(yōu)勢，也可以說它是慌了。