規避美國128層以上NAND禁令　長江存儲秘密武器另闢蹊徑

長江存儲繞彎128層NAND禁令限制，傳120層NAND新品已送交客戶認證。韓青秀攝

美國近期晶片禁令再升級，中美科技戰對峙煙硝瀰漫，記憶體禁令限制維持不變，但對長江儲存等中系代表廠商的金箍咒預料短期將難再放寬。

業界透露，為了避開美國對128層以上NAND Flash設備出口的限制，長江存儲另闢蹊徑尋覓出路，以“五臺山”為產品命名的秘密武器，刻意將層數堆疊降至120層，但升級原有Xtacking結構，I/O速度堪比其他NAND原廠200層以上性能。

近期新產品已陸續送樣驗證，預計2024年初將展開量產，未來120層NAND將成為重點推動的營運主力。

長江存儲2022年后起直追，推出旗艦232層3D NAND晶片，越級挑戰記憶體大廠如三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、鎧俠（Kioxia）等。

但美國大刀開鍘，美系設備供應商受到出口管制規范，迅速停止供貨與相關服務，并在年底將長江存儲列入制裁實體清單，外界曾認為，在缺乏設備商技術支援下，長江存儲2024年起恐將淡出3D NAND市場競爭。

供應鏈透露，為了規避美國禁令的紅線，長江存儲開發Xtacking 4.0新架構，將可望擺脫128層的限制，雖然長江存儲不愿再對外強調堆疊層數。

但據悉，“五臺山”新產品已從第3季底~第4季陸續送樣認證，配合供應鏈也積極進行調整設計，雖然堆疊層數僅120層，但量產成熟后，不排除可繼續延伸堆疊至240層或以上，不僅繞彎突圍封鎖，且可持續提升成本競爭力。

供應鏈預期，Xtacking 4.0架構的120層NAND可望在年底推出，并有望從2024年第1季~第2季量產，屆時將可供應128、256及512 Gb等晶片產品。雖然短期內不會應用在企業級儲存或高密度產品，但在消費性電子應用或手機品牌供應鏈等領域，長江存儲必然將不會缺席。

長江存儲在禁令前，大量採購的微影機等設備均屬于頂級配置，且目前128層設備機臺均逐年攤提折舊成本，產品價格將具有競爭力，基于Xtacking 3.0架構的128層NAND已穩定量產出貨，未來武漢二廠將陸續擴大產量。預計2024年起將大量轉換至120層NAND產品，成為美國禁令限制下的主力制程。

長江儲存的Xtacking技術原理，是將晶圓獨立加工I/O及記憶單位操作的週邊電路，儲存單元則在另一片晶圓獨立處理，并將兩片晶圓進行黏合，不同于傳統NAND原廠堆疊。

Xtacking 3.0架構進一步提高CMOS元件的性能和I/O速度，232層堆疊NAND可擁有2400MT/s 的傳輸速度。據傳，最新4.0架構性能將與其他NAND原廠200層以上的產品表現相當。

業界指出，早在半年前，長江存儲的初期樣品曾一度流出，韓系記憶體大廠曾詳細進行分析，當時對于性能表現與技術架構大為震驚。不過長江存儲直到近期才正式向客戶提出送樣驗證，預期量產品質和性能驗證結果，將在2024年初較為明朗。

但無論初期量產品質表現如何，在中國半導體國產化推動浪潮下，中系品牌及模組業者必然將大力支持導入，長江存儲將在中國內需市場取得無可取代的主導地位。