臺積電3納米受挫，跟隨中國芯開辟新賽道，彎道超車能成功么？

日前媒體爆料指臺積電在芯片技術(shù)方面早已布局硅光芯片，而它研發(fā)這項技術(shù)已有數(shù)年之久，它的硅光芯片工藝已達到7納米，預計明年就能投入量產(chǎn)，這是在中國芯片研發(fā)硅光芯片之后，又一個重大消息。

臺積電研發(fā)硅光芯片，在于它如今在3納米工藝受挫，目前以3納米工藝生產(chǎn)的蘋果A17處理器性能僅提升了10%，而功耗卻較高，成本增加兩成，昂貴的成本卻無法帶來相應的性能提升，導致高通、聯(lián)發(fā)科等已放棄3納米工藝而繼續(xù)采用4納米工藝。

業(yè)界人士認為臺積電、三星其實早在7納米工藝之后就已難以在傳統(tǒng)的硅基芯片工藝技術(shù)上取得進展，難以縮短芯片柵極間距，此后的7納米、5納米工藝其實都并非根據(jù)摩爾定律進行命名，而是在提升了三成性能的情況下就對新工藝命名，玩的是數(shù)字游戲，對此Intel也曾強烈質(zhì)疑。

只不過到了3納米工藝，這種數(shù)字游戲也難玩下去了，A17處理器僅提升了一成的性能，與臺積電宣稱的3納米工藝可以提升三成性能完全無法比，由此導致臺積電陷入窘境，如果僅靠蘋果一家廠商，臺積電投入近2000億研發(fā)的3納米工藝將難以回收成本。

中國芯片方面則由于難以獲得先進的EUV光刻機，更早研發(fā)新的芯片技術(shù)，除了上述提到的硅光芯片之外，中國芯片還在光子芯片、量子芯片等技術(shù)進行布局，并已取得一些成績。

光子芯片、量子芯片等先進芯片技術(shù)可以將芯片性能提升千倍以上，而功耗卻可以降低至目前硅基芯片的千分之一，不過這些先進芯片技術(shù)還面臨太多技術(shù)難題，因此中國芯片將光子芯片與硅基芯片技術(shù)結(jié)合，研發(fā)硅光芯片。

硅光芯片仍然會以硅基為基座，不過內(nèi)核傳輸以光為介質(zhì)，可以大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速率，性能可以比硅基芯片提升100倍，如此可以大幅降低芯片技術(shù)研發(fā)難度，又能利用現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)，此前中國已有諸多機構(gòu)發(fā)布了相關(guān)的硅光芯片技術(shù)。

臺積電作為全球最先進的芯片代工廠，恐怕也認識到硅基芯片的局限，繼續(xù)沿著原來的技術(shù)發(fā)展方向發(fā)展先進工藝總會達到天花板，尤其是在10納米之后，因此它也早早研發(fā)硅光芯片技術(shù)。

臺積電推進硅光芯片技術(shù)，證明了中國研發(fā)硅光芯片是一條可行的途徑，如今中國的芯片制造工藝已量產(chǎn)14納米，業(yè)界猜測7納米工藝可能已在試產(chǎn)，國產(chǎn)5G手機很可能就是國產(chǎn)化的7納米工藝。

如此中國可以依托現(xiàn)有的硅基芯片工藝研發(fā)出媲美臺積電的7納米硅光芯片技術(shù)，從而一舉達到世界先進水平。這也將打破臺積電獨占7納米硅光芯片技術(shù)的計劃，中國芯片將真正實現(xiàn)彎道超車。

硅光芯片技術(shù)對于中國芯片非常有意義，由于眾所周知的原因，美國一直在限制中國發(fā)展先進芯片，拉攏日本、荷蘭限制對中國提供7納米及以下的先進芯片設備和材料，而硅光芯片技術(shù)將讓中國無需再依賴它們，而以國產(chǎn)化的技術(shù)達到世界先進水平。