國產(chǎn)55nm NOR閃存量產(chǎn)：壽命不低于10萬次

雖然在NAND閃存領域國內(nèi)還要落后不少，但在NOR閃存市場上，國內(nèi)公司實力不弱，兆易創(chuàng)新是全球第一大NOR閃存供應商。

　　日前在兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部市場經(jīng)理薛霆接受了電子創(chuàng)新網(wǎng)的采訪，透露了NOR閃存的最新進展及未來發(fā)展情況。

　　薛霆表示，“兆易創(chuàng)新的Flash目前全部產(chǎn)品線都已經(jīng)過渡到55nm新工藝，我們已經(jīng)推出了一系列從最小容量512Kbit到最大容量2Gbit的全系列的SPI NOR Flash。我們是全球第一家把SPI NAND Flash推向世界而且量產(chǎn)的公司。”

　　薛霆提到，兆易創(chuàng)新“3年前就開始推動55nm工藝研發(fā)，經(jīng)過3千片以上wafer的磨合，把55nm做到了可以大規(guī)模量產(chǎn)。

　　目前兆易創(chuàng)新55nm的產(chǎn)品第一，工藝上更先進，每一顆的體積更小，功耗上也比65nm降低了30%左右。從功耗到面積都帶來了更多的節(jié)省，給客戶也帶來了更有性價比的產(chǎn)品。

　　NOR閃存除了PC、筆記本、服務器要用之外，5G基站、路由、汽車、機頂盒、TWS無線耳機等產(chǎn)品也要用，這些市場對閃存的可靠性要求極高。

　　薛霆提到，比如5G基站中，往往需要至少10萬次擦寫，20年的數(shù)據(jù)保證時間，這些也正好是兆易創(chuàng)新擅長的。

　　去年7月份，兆易創(chuàng)新宣布推出國內(nèi)首款容量高達2Gb、高性能SPI NOR Flash——GD25/GD55 B/T/X系列產(chǎn)品，該系列可提供512Mb至2Gb的不同容量選擇，支持高速4通道以及兼容JEDEC xSPI和Xccela規(guī)格的高速8通道，主要面向需要大容量存儲、高可靠性與超高速數(shù)據(jù)吞吐量的工業(yè)、車載、AI以及5G等相關應用領域。