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美光發布最新顯存路線圖,已經落后三星一步

2023-11-16 來源:賢集網
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關鍵詞: 美光 人工智能 三星

近期美光公司正式發布了包括GDDR7和HBM4E內存技術在內的顯存路線圖。目前美光最高規格的GDDR6X顯存最高運行帶寬為24Gbps,顯存容量為16GB。

根據美光發布的路線圖,將在2024年中推出GDDR7顯存,運行帶寬為32Gbps,容量為16-24Gb;到2026年會推出更快的GDDR7顯存,帶寬為36Gbps,容量采用超過24Gb。



而英偉達的下一代顯卡RTX 50系列基本確定在2025年發布,到那時GDDR7顯存應該也基本成熟了,首發搭載問題不大。

美光還將在2024年推出8層堆疊的AI和數據中心專用帶寬超1.2TB/s的HBM3E內存;并于2024年底2025年年初推出12層堆疊容量為36GB的HBM3E。到2026年美光將推出12層和16層堆疊的HBM4,帶寬超過1.5TB/s;并在2028年發布12層和16層堆疊的HBM4E,帶寬可達2TB/s以上。

在內存方面,美光將在2024年中推出LPCAMM2內存,帶寬為8533Mbps;到2026年將推出帶寬為9600Mbps的LPCAMM2內存。


三星搶先一步亮相GDDR7顯存技術

“2023年三星內存技術日”上,三星再次更新了關于其GDDR7顯存的技術信息。

自去年10月份三星正式公布GDDR7顯存以來,就一直受到了廣泛關注,如今三星帶來了關于該技術更多的細節和改進。據三星官方介紹,在過去的一年里,通過精心研發設計,在改善GDDR7顯存的動態功耗方面取得了顯著的成果。



通過新的額外時鐘控制,GDDR7顯存的待機功耗較之前的GDDR6降低了50%,進一步降低了設備的整體功耗。

在性能上,三星表示,與目前最快的24Gbps GDDR6 DRAM相比,GDDR7顯存的性能提升了40%、能效提升了20%。

在速度方面,三星首批GDDR7產品的額定傳輸速度最高32Gbps,比GDDR6顯存提升了33%,在384位總線接口時,實現了高達1.5TB/s的帶寬。

此外,三星還強調GDDR7顯存將采用專門針對高速工作負載進行優化的技術,使得內存能夠在高強度工作下穩定運行。同時還將提供低工作電壓選項,專為筆記本電腦等需要謹慎用電的設備而設計。除了36Gbps的GDDR7顯存外,三星還展示了速度更高的顯存樣品,但目前還不清楚后期能都實現商業化。


HBM4為時尚早,明年市場主流還得看HBM3與HBM3e

自2014年首款硅通孔HBM產品問世至今,HBM技術已經更新迭代出多款產品,分別有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等。

原廠規劃方面,此前集邦咨詢調查顯示,兩大韓廠SK海力士(SK hynix)、三星(Samsung)先從HBM3開發,代表產品為NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列,兩大韓廠預計于2024年第一季送樣HBM3e;美系原廠美光(Micron)則選擇跳過HBM3,直接開發HBM3e。

HBM3e將由24Gb mono die堆棧,在8層(8Hi)的基礎下,單顆HBM3e容量將一口氣提升至24GB,此將導入在2025年NVIDIA推出的GB100上,故三大原廠預計要在2024年第一季推出HBM3e樣品,以期在明年下半年進入量產。

除了HBM3、HBM3e之外,最新消息顯示,存儲大廠還在規劃推出下一代HBM——HBM4。



近日,三星電子副社長、DRAM產品與技術團隊負責人黃尚俊對外表示,三星電子已開發出9.8Gbps的HBM3E,計劃開始向客戶提供樣品。同時,三星正在開發HBM4,目標2025年供貨。據悉,三星電子正開發針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜(NCF)組裝技與混合鍵合(HCB)等技術,以應用于HBM4產品。

9月韓媒報道表示,為了掌握快速成長的HBM市場,三星將大幅革新新一代產品制程技術,并推出HBM4產品。據悉,HBM4內存堆棧將采用2048位內存接口 。此前所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位,足以可見HBM4具備的變革意義。

盡管HBM4將有大突破,但它畢竟不會很快到來,談應用以及普及為時尚早。業界指出,當前HBM市場以HBM2e為主,未來HBM3與HBM3e將挑起大梁。

集邦咨詢調查顯示,當前HBM市場主流為HBM2e,包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數CSPs自研加速芯片皆以此規格設計。同時,為順應AI加速器芯片需求演進,各原廠計劃于2024年推出新產品HBM3e,預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。

以HBM不同世代需求比重而言,據TrendForce集邦咨詢表示,2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3,需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續放量,2024年市場需求將大幅轉往HBM3,而2024年將直接超越HBM2e,比重預估達60%,且受惠于其更高的平均銷售單價(ASP),將帶動明年HBM營收顯著成長。



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