華為、哈工大聯(lián)手發(fā)布芯片專利

11月21日消息，據(jù)企查查顯示，近日，華為技術(shù)有限公司、哈爾濱工業(yè)大學(xué)申請(qǐng)的“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”專利公布。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。

該方法包括：制備硅基Cu/SiO2混合鍵合樣品和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品后進(jìn)行等離子體活化處理；將經(jīng)等離子體活化處理后Cu/SiO2混合鍵合樣品浸泡于有機(jī)酸溶液中，清洗后吹干；

在吹干后的硅基和/或金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品的待鍵合表面上滴加氫氟酸溶液，將硅基和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品對(duì)準(zhǔn)貼合進(jìn)行預(yù)鍵合，得到預(yù)鍵合芯片；將預(yù)鍵合芯片進(jìn)行熱壓鍵合，退火處理，得到混合鍵合樣品對(duì)。

本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了以Cu/SiO2混合鍵合為基礎(chǔ)的硅/金剛石三維異質(zhì)集成。據(jù)悉，該專利于2023年10月27日申請(qǐng)公布。受此影響，培育鉆石概念漲幅已超16%。