國產光刻機，只差最后一項技術，就要搞定浸潤式，實現7nm了？

實話實說，對于中國大陸的芯片制造產業而言，目前的首要任務肯定不是像臺積電、三星一樣搞定3nm，而是腳踏實地，先把14nm、7nm產業鏈實現全部國產化。

然后再用利14nm、7nm這樣相對先進的工藝，制造出5nm、3nm這樣性能的芯片出來，畢竟EUV光刻機買不到，我們要進入5nm確實很困難。

不過，要實現14nm、7nm芯片的全部國產化，也有一個大困難，那就是國產光刻機。

普通的ArF光刻機，最高支持的工藝是65nm，只有進入浸潤式光刻機，也就是ArFi光刻機，最高才能支持到7nm這個級別，所以要想14nm、7nm芯片全國產化，浸潤式光刻機必須國產化。

那么問題來了，浸潤式光刻機國產化，我們還差多少步？

浸潤式光刻機，與普通的非浸潤式ArF光刻機相比，主要在于在晶圓上方，會加入一層水，而深紫光線光源，經過這一層水的折射時，波長193nm會變成134nm，從而提高光刻精度。

而控制這層水的系統的叫做浸潤式系統。其它的結構，與普通的非浸潤式光刻機相同。

而普通的非浸潤式光刻機，主要由三大關鍵部分組成，光源系統、物鏡系統、工作臺。

光源系統采用的是193nm波長的深紫外線，這一塊上海微電子目前實現的光刻機，采用的就是193nm波長的光源，所以光源系統已經搞定。

再看物鏡系統，這一塊是當前光刻機的難點，因為ASML與卡爾蔡司獨家合作，目前國產的物鏡系統還在90nm，但有媒體報道稱，長春光電所已經搞定了32nm，但離浸潤式光刻機的要求，還有一點距離。

接著看工作臺，這里并不是特別難，清華大學與華卓精科合作，推出的雙工作臺已經實現了10nm精度的控制，所以用于浸潤式光刻機，基本上也沒問題了。

至于浸潤式系統這一塊，主要由控制軟件、液態傳感器、控制器等組成，之前有媒體報道稱啟爾機電在浸液控制系統上取得了重大突破，可以用于浸潤式光刻機了。

可見，真正卡住的只有物鏡系統了，一旦物鏡系統突破，那么國產浸潤式光刻機就能夠搞定了，那么實現最高7nm芯片的全國產化，也就不那么困難了。

至于國產EUV光刻機，那就物鏡系統、工作臺、EUV光源都要解決，所以大家先別急，等浸潤式光刻機實現國產化再說，路得一步一步走。