美國的目的暴露了，奪下6臺EUV光刻機推進2納米，反超臺積電

日前消息指光刻機巨頭ASML預(yù)計明年量產(chǎn)10臺第二代EUV光刻機，其中6臺已確定被美國芯片企業(yè)Intel奪下，剩下的兩臺將由三星和臺積電競爭，如此一來拿到更多第二代EUV光刻機的美國可望率先量產(chǎn)2納米，反超臺積電。

一、第二代EUV光刻機的重要性

目前臺積電和三星都是以第一代EUV光刻機生產(chǎn)3納米工藝，導(dǎo)致它們的良率偏低。臺積電生產(chǎn)的3納米采用FinFET技術(shù)，保守的態(tài)度確保3納米工藝的良率達到55%，卻也導(dǎo)致性能偏低，生產(chǎn)的A17處理器性能僅提升一成而功耗過高。

三星激進地采用GAA技術(shù)，3納米工藝的性能應(yīng)該會更高，但是3納米良率卻低至兩成以下，過低的良率導(dǎo)致三星的3納米工藝至今沒有芯片采用；當(dāng)然臺積電的良率雖然高一些，卻也達到5納米以上工藝的九成以上良率，成本也高。

導(dǎo)致如此結(jié)果的原因之一就是第一代EUV光刻機并不適合用于生產(chǎn)3納米工藝，光刻機已是芯片工藝最重要的設(shè)備，為此ASML早就已推進第二代EUV光刻機的研發(fā)，第二代EUV光刻機可以用于3納米以下工藝。

不過第二代EUV光刻機的技術(shù)難度太高，需要全球5000家企業(yè)配合才能生產(chǎn)出來，導(dǎo)致ASML的研發(fā)進程緩慢，量產(chǎn)難度也大，預(yù)計明年只能生產(chǎn)10臺第二代EUV光刻機，之后也只能增產(chǎn)到每年20臺。

二、美國圖謀臺積電

數(shù)年前美國就要求臺積電上交機密數(shù)據(jù)，隨即還要求臺積電、三星等赴美設(shè)廠，并以520億美元芯片補貼作為誘惑，最終促使它們順從。

不過隨著臺積電和三星在美國的工廠推進，美國承諾的芯片補貼最終只是給了臺積電10%，三星給13%，超過七成的芯片補貼都給了美國本土的Intel、美光等，隨后又給出芯片補貼細則，要求共享技術(shù)、利潤等，變相促使臺積電和三星舍棄補貼。

不給芯片補貼，對于臺積電來說可能還是小事，核心技術(shù)機密的泄露才是臺積電等更擔(dān)憂的事情，隨著臺積電交出機密數(shù)據(jù)，Intel的7納米工藝就迅速推進，Intel的7納米工藝被認為等同于臺積電的4納米工藝，如此的巧合讓人深思。

Intel此前在14納米工藝量產(chǎn)后，在10納米、7納米工藝的研發(fā)方面都遭遇了巨大的困難，足足延遲了9年時間才量產(chǎn)7納米工藝，而同期臺積電的芯片工藝卻從落后于Intel到如今遙遙領(lǐng)先。

很顯然美國的目的最終還是幫助美國本土的Intel確保技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，再到如今獲取6臺第二代EUV光刻機，加速推進2納米工藝，也就意味著美國即將重奪芯片制造工藝技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

三、美國重奪芯片制造技術(shù)優(yōu)勢

臺積電雖然已量產(chǎn)3納米工藝，但是由于現(xiàn)有的第一代EUV光刻機并不適合生產(chǎn)3納米工藝，當(dāng)然更不適合生產(chǎn)更先進的2納米工藝，這對臺積電來說正帶來巨大的困難。

據(jù)悉臺積電已計劃不斷改良3納米工藝，2024年有N3E、N3P，2025年有N3X，似乎顯示出它也認識到2納米工藝研發(fā)的難度很大，由此而不得不斷延續(xù)3納米工藝的壽命，預(yù)計2納米工藝得在2026年量產(chǎn)。

這一切是如此熟悉，當(dāng)年Intel在量產(chǎn)14納米工藝之后，10納米工藝推進困難，就不斷在14納米工藝上擠牙膏，直到2019年量產(chǎn)10納米，這樣的時間給予臺積電反超的機會，如今臺積電在3納米工藝上陷入停滯，Intel反超也就有希望。

Intel在明年獲取10臺第二代EUV光刻技的6臺，有了更先進的光刻機，Intel很可能將在2025年量產(chǎn)2納米，比臺積電提前一年，取得技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

美國多年來為了確保自己的技術(shù)優(yōu)勢，一再采取了類似的手段，1990年代日本芯片曾占全球芯片市場五成份額，在美國的壓制下日本芯片迅速衰敗到如今僅占全球芯片市場10%的份額，還有阿爾斯通事件最終確保了美國通用重奪電氣市場的優(yōu)勢，如今芯片技術(shù)一如以往。