三星半導體業務大虧13萬億韓元

鑒于全球經濟放緩和存儲需求低迷，三星電子預計2023年半導體相關業務虧損將超過13萬億韓元（約合100億美元），這標志著三星電子首次連續四個季度虧損。

盡管如此，隨著存儲價格在2023下半年反彈，加上客戶存儲庫存耗盡，一線希望出現，導致三星半導體業務虧損在2023年第四季度趨于收斂。

隨著2024年存儲需求的預期增長，三星預計半導體業務將得到改善，目標不僅是扭虧為盈，而且年營業利潤將超過12萬億韓元。

行業預計三星2023年第四季度營收69.6萬億韓元（535億美元），同比下降1.1%；營業利潤3.5萬億韓元，同比下降17.2%。預計三星2023全年營收260.8萬億韓元，同比下降13.6%；全年營業利潤為7.3萬億韓元，同比下降83.1%，創下2008-2009年金融危機以來三星最弱表現，年營業收入跌破10萬億韓元。

三星將2023年業績低迷歸因于其負責半導體業務的設備解決方案（DS）部門嚴重虧損。預計2023年前三季度該部門累計虧損超過12萬億韓元。分析師預測，第四季度DS部門虧損將減少至約9700億韓元，而前三季度虧損額分別為4.5萬億韓元、4.3萬億韓元和3.7萬億韓元。這表明市場在逐步改善，減產和庫存耗盡正推動存儲價格反彈。

隨著存儲價格連續兩年下跌，IT行業特別是智能手機、PC、服務器等市場復蘇，使得流通庫存接近正常水平，超出市場預期。存儲需求得到改善，三星工廠生產線的開工率正在逐步提高。

KB金融集團報告稱，三星西安NAND閃存工廠曾經歷減產，預計將從2023年第三季度的30%開工率恢復到2023年底的40%-50%。該工廠可生產236層第8代3D NAND，預計將增強成本競爭力。

盡管三星半導體業務在2023年面臨低迷，但展望2024年，該公司預計年營業利潤將增長四倍以上，達到33萬億韓元，年收入有望接近302.7萬億韓元。

同時，三星DS部門的營業利潤預計將從2023年虧損13-14萬億韓元轉為盈利12萬億韓元。

此外，高帶寬內存（HBM）供應的擴張將提高三星DS部門的盈利能力。業內人士暗示，三星HBM產能或將翻倍，產量大幅增加，緩解HBM3供應短缺的擔憂。

三星計劃在2024上半年推出LPDDR5X增強版，并開始量產新一代低延遲帶寬（LLW）DRAM。同時，三星2024下半年第二代3nm GAA將在泰勒工廠規模化生產，該工廠目前正在建設中，預計將采用3nm和4nm工藝進行生產。