5年時(shí)間，三星要將3D NAND閃存，堆疊到1000+層

眾所周知，邏輯芯片技術(shù)前進(jìn)方向是工藝越來(lái)越小，所以我們看到臺(tái)積電等廠商，將芯片工藝不斷的前進(jìn)，從28nm，到22nm，14nm，再10nm、7nm……3nm。

目前有兩大晶圓廠商已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3nm，那么接下來(lái)就是2nm、1.4nm、1nm……

但3D NAND存儲(chǔ)芯片不一樣，廠商們測(cè)試發(fā)現(xiàn)，當(dāng)NAND芯片的制程工藝進(jìn)入到18nm之后，就無(wú)法再微縮下去了，不能說(shuō)再推進(jìn)到14nm，10nm，7nm等，不是技術(shù)不行，而是有其它問(wèn)題。

廠商們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)芯片工藝到了18nm之后，再微縮的話，3D NAND閃存就會(huì)不穩(wěn)定，工藝越先進(jìn)，越不穩(wěn)定，而對(duì)于存儲(chǔ)芯片而言，最重要的就是數(shù)據(jù)安全，不穩(wěn)定的芯片，這肯定是不行的。

所以我們看到，這些閃存芯片廠商們，在18nm之后，就不再執(zhí)著于推進(jìn)芯片工藝，而是轉(zhuǎn)向了另外一條路，那就是多層堆疊，像蓋房子一樣往上多蓋層數(shù)，堆疊的層數(shù)越高，存儲(chǔ)密度越高，讀寫速度越快。

所以后來(lái)，這些3D NAND廠商們，就主攻堆疊技術(shù)，在2016年實(shí)現(xiàn)了64層堆疊后，之后就進(jìn)入了堆疊的高速通道。

以三星為例，2018年實(shí)現(xiàn)96層，2019年實(shí)現(xiàn)128層，2021年實(shí)現(xiàn)176層，2022年搞定236層，速度越來(lái)越快。其它存儲(chǔ)芯片廠商和三星進(jìn)度稍不一樣，但大差不差，基本處于同一水準(zhǔn)。

而國(guó)產(chǎn)廠商長(zhǎng)存，也在2022年搞定了232層堆疊技術(shù)，并且是全球第一家量產(chǎn)的廠商，打破了三星、SK海力士、美光的壟斷。

在這樣的壓力之下，三星等巨頭，肯定也是想不斷突破，拉開(kāi)與其它廠商的差距，這不三星近日有了一個(gè)3D NAND閃存的堆疊技術(shù)計(jì)劃。

按照三星的計(jì)劃，2024年是V9版本，310層堆疊技術(shù)，然后不斷前進(jìn)，到2030年時(shí)，推出V13版本，實(shí)現(xiàn)1058層堆疊，到2031年時(shí)，是V14版，1428層堆疊……

不過(guò)，3D NAND閃存要堆疊，也沒(méi)有想象中的那么簡(jiǎn)單，畢竟堆疊層數(shù)越多，芯片的厚度就越高，這些問(wèn)題要怎么解決，還需要三星等廠商，一步一步往前去研究。